HS1DL数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF
| 厂商型号 |
HS1DL |
| 参数属性 | HS1DL 封装/外壳为DO-219AB；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单；产品描述：DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA |
| 功能描述 | 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier |
| 封装外壳 | DO-219AB |
| 制造商 | TSC Taiwan Semiconductor Company, Ltd |
| 中文名称 | 台湾半导体 台湾半导体股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 15:01:00 |
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技术参数
- 制造商编号
：HS1DL
- 生产厂家
：TSC
- trr (ns)
：50
- VRRM (V)
：200
- IF(AV) (A)
：1
- IFSM (A)
：30
- Technology
：GPP
- IR (µA)
：5
- VF (V)
：0.95
- Status
：NRND
- Replacement
：HS1DLW
- AEC-Q
：No
- TJ Max. (°C)
：150
- Family
：High Efficient
- MSL
：1
