HS16F2612数据手册H-SUN中文资料规格书

描述 Description

HS16F2612是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内建了4K*14-bit的FLASH、128 Byte的EEPROM、336Byte 的SRAM，包含3个独立12位PWM（T2），6个带死区12位PWM（T3）及1个8位定时器（TC1_RTC），含有ADC模块，两组UART。

特性 Features

◆ 39条RISC指令，除了跳转指令是两个周期，所有的指令都是单周期
◆ 兼容PIC指令
◆ 14位宽指令，8位宽数据路径，8级深度硬件堆栈
◆ 支持GOTO指令2k内ROM跳转、支持2k内ROM子程序调用，超过2k需操作PCLATH
◆ 4K×14的程序存储器
◆ 128 × 8位 EEPROM数据存储区
◆ 336 × 8位通用寄存器
◆ 直接、间接寻址方式
◆ 1个可预分频器的8位计数器TMR0
◆ 1个可预分频器的8位RTC定时器/普通定时器TC1
◆ 1个可预分频的12位定时钟/计数器TC2，可配置6路12位PWM
◆ 1个可预分频的12位定时钟/计数器TC3，可配置3路12位PWM
◆ 12通道的12位ADC模块
◆ 2组独立UART串口，TX/RX可独立使用，且可映射不同端口，可参与唤醒
◆ 内部上电复位电路（POR）、内置欠压复位（LVR）
◆ 上电复位定时器（PWRT）和振荡器启动定时器（OST）
◆ 3组18个I/O口(IOA/IOB/IOC)，可配置上拉、下拉和开漏等状态，IOC无开漏
◆ 4种工作模式可任意切换：正常模式、低速模式、睡眠模式、绿色模式
◆ 唤醒睡眠：INT/INT1管脚中断、PA/PB的输入状态改变、TC1溢出唤醒
◆ 唤醒绿色：INT/INT1管脚中断、PA/PB的输入状态改变、TC1溢出唤醒、T2溢出唤醒、T3溢出唤醒
◆ 省电休眠模式，可编程代码保护
◆ 可选的振荡器选项：内部高速振荡器、内部低速振荡器、外部低速晶体振荡器（LP）、外部高速晶体振荡器（HS/XT）、RTC模式
◆ 12种可用中断：TMR0溢出中断、TC1溢出中断、T2溢出中断、T3溢出中断、PA/PB端口变化中断、INT0中断、INT1中断、ADC中断、两组UART收、发中断
◆ 宽工作电压范围：2.2V至5.5V
◆ 可支持 C编译，C仿真，可在线调试
◆ 支持BOOT功能，所有区间均可BOOT
◆ 8M/16M主频可选，且频率可软件配置
◆ 端口驱动2级可选