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HVM187WK	文件：67.49 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPINDiodeforHighFrequencyAttenuator Features •Lowforwardresistance.(rf=5.5Ωmax) •MPAKpackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVU187	文件：61.65 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPINDiodeforHighFrequencyAttenuator Features •Lowforwardresistance.(rf=5.5Ωmax) •UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVU187	文件：28.99 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencyAttenuator Features •Lowforwardresistance.(rf=5.5Ωmax) •UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
IMEP187	文件：49.33 Kbytes Page：1 Pages	Panneauxinterieurs	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
IMESD187	文件：68.64 Kbytes Page：1 Pages	Porteopaque	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
IMEWD187	文件：70.39 Kbytes Page：1 Pages	Portevitree	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
ISCN187N	文件：260.14 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KDS187	文件：106.13 Kbytes Page：1 Pages	SILICONEPITAXIALPLANARDIODE(ULTRAHIGHSPEEDSWITCHING) ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •SmallPackage:SOT-23. •LowForwardVoltag:VF=0.92V(Typ.). •FastReverseRecoveryTime:trr=1.6ns(Typ.). •SmallTotalCapacitance:CT=2.2pF(Typ.). •SuffixU:QualifiedtoAEC-Q101. ex)KDS187-RTK/HU	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KLDR.187TXP	文件：363.47 Kbytes Page：7 Pages	600Vac	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
LPC187CTP	文件：78.11 Kbytes Page：1 Pages	VERTICALCLIPLITE4MMLITEPIPE	VCC Visual Communications Company	VCC

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