HRH4N65CENU中文资料顺烨电子数据手册PDF规格书

厂商型号	HRH4N65CENU
功能描述	650V N-Channel Planar MOSFET
丝印标识	H4N65CENU
封装外壳	TO-251
文件大小	3.3421 Mbytes
页面数量	13 页
生产厂商	SY
中文名称	顺烨电子
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-8-9 9:36:00
人工找货	HRH4N65CENU价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

特性 Features

RDSON=1.95Ω @Vgs=10V, Id=2A

Low gate Charge(typical 20.0nC)

Low Crss (typical 4.1pF)

Fast switching capability

100% avalanche tested

Improved dv/dt capability

Applications

Switch Mode Power Supply

Uninterruptible Power Supply (UPS)

TV Power

A dapter/Charger