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HQ1F3P中文资料瑞萨数据手册PDF规格书

HQ1F3P
厂商型号

HQ1F3P

功能描述

COMPOUND TRANSISTOR

文件大小

111.34 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

NEC瑞萨

中文名称

日本瑞萨电子株式会社官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-6 23:40:00

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晶体管资料

  • 型号:

    HQ1F3P

  • 别名:

    HQ1F3P三极管、HQ1F3P晶体管、HQ1F3P晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-P+R

  • 性质:

    中速 (MS)_开关管 (SW)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    20V

  • 最大电流允许值:

    2A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    2W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    H-100

  • vtest:

    20

  • htest:

    999900

  • atest:

    2

  • wtest:

    2

HQ1F3P规格书详情

FEATURES

• Up to 2A high current drives such as ICs, motors, and solenoids

available

• On-chip bias resistor

• Low power consumption during drive

产品属性

  • 型号:

    HQ1F3P

  • 制造商:

    NEC

  • 制造商全称:

    NEC

  • 功能描述:

    COMPOUND TRANSISTOR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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