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HPD650R1K9DN中文资料MOS 场效应晶体管--超结MOSFET数据手册CRMICRO规格书

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厂商型号

HPD650R1K9DN

功能描述

MOS 场效应晶体管--超结MOSFET

制造商

CRMICRO China Resources Microelectronics Limited

中文名称

华润微电子 华润微电子有限公司

数据手册

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更新时间

2025-12-13 19:09:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :HPD650R1K9DN

  • 生产厂家

    :CRMICRO

  • ID(A)

    :5

  • RDSON(Ω)(@Vgs=10V)

    :1.9

  • VGS(TH)(V)

    :2-4

  • QG(nC)

    :13.4

  • 封装形式

    :TO-252

  • 状态

    :量产

  • 更新日期

    :2017-09-30

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