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MF3129-LYCATXX	文件：101.35 Kbytes Page：14 Pages	8/16-bitDataBusStaticRAMCard DESCRIPTION Mitsubishi’sStaticRAMcardsprovidelargememorycapacitiesonadeviceapproximatelythesizeofacreditcard(85.6mm´54mm´3.3mm).Thecardsusea8/16bitdata-bus. FEATURES ■UsesTSOP(ThinSmallOutlinePackage)toachieveveryhighmemorydensitycoupledwithhighreliabili	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
MF3129-LZCATXX	文件：116.9 Kbytes Page：16 Pages	8/16-bitDataBusStaticRAMCard DESCRIPTION Mitsubishi’sStaticRAMcardsprovidelargememorycapacitiesonadeviceapproximatelythesizeofacreditcard(85.6mm´54mm´3.3mm).Thecardsusea8/16bitdata-bus.Thedevicesuseareplaceablelithiumbatterytomaintaindata.Availablein64Kbyte-4Mbytecapacities,Mitsubish	MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor 三菱电机三菱电机株式会社	Mitsubishi
NTUD3129P	文件：87.51 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalMOSFET-20V,-180mA,DualP-Channel,1.0x1.0mmSOT-963Package	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PST3129	文件：89.77 Kbytes Page：9 Pages	ICforCMOSSystemReset Outline ThisICisasystemresetICdevelopedusingtheCMOSprocess.Superlowconsumptioncurrentof0.25µAtyp.hasbeenachievedthroughuseoftheCMOSprocess.Also,detectionvoltageishighprecisiondetectionof±2. Features 1.Superlowconsumptioncurrent0.25µAtyp.(whenVDD	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美电机株式会社	MITSUMI
PST3129	文件：177.66 Kbytes Page：9 Pages	CMOSSystemReset Outline ThisICisasystemresetICdevelopedusingtheCMOSprocess.Superlowconsumptioncurrentof0.25µAtyp.hasbeenachievedthroughuseoftheCMOSprocess.Also,detectionvoltageishighprecisiondetectionof±2. Features 1.Superlowconsumptioncurrent0.25µAtyp.(whenVDD	MITSUMIMitsumi Electronics, Corp. 三美三美电机株式会社	MITSUMI
SI3129DV	文件：240.85 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel80V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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更多HPC3129B供应商更新时间2025-5-25 11:01:00

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