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HV201	文件：343.73 Kbytes Page：3 Pages	HighEMIresistanceaccelerometers Keyfeatures •Case-baseisolatedupto6kV •Idealforpowergenerationapplications •Rapidshockrecovery •ImprovedEMIresistance •ManufacturedinanapprovedISO9001facility	WILCOXON Amphenol Wilcoxon Sensing Technologies.	WILCOXON
HV201LF	文件：465.81 Kbytes Page：3 Pages	Low-frequency,highEMIresistanceaccelerometers Keyfeatures •Ultralow-frequencymeasurements •Case-baseisolatedupto6kV •Idealforpowergenerationapplications •Rapidshockrecovery •ImprovedEMIresistance •ManufacturedinanapprovedISO9001facility	WILCOXON Amphenol Wilcoxon Sensing Technologies.	WILCOXON
HVPB201	文件：107.89 Kbytes Page：3 Pages	860Amps1500VoltsAC/DC	MARATHON Regal Beloit Corporation	MARATHON
HZS201	文件：56.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
IC201	文件：293.13 Kbytes Page：4 Pages	BLOCKDIAGRAMANDSCHEMATICDIAGRAM 3.1BLOCKDIAGRAM	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
ID201	文件：73.2 Kbytes Page：2 Pages	SCRs1.6Amp,Planear FEATURES •VoltageRating:to200V •MaxGateTriggerCurrent:200μA •HermeticallySealedMetalCan •PlanarpassivatedConstruction	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
ID201	文件：127.81 Kbytes Page：2 Pages	SILICONCONTROLLEDRECTIFIER SILICONCONTROLLEDRECTIFIER1.6AMP AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
IES201	文件：189.54 Kbytes Page：3 Pages	Inductivesensor	IFMifm electronic Ltd. 易福门电子易福门电子（上海）有限公司（中国总部）	IFM
IFN201	文件：599.94 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelJFET Features •InterFETN106AGeometry •TightlyscreenedIFN201A:VGS(OFF):-0.5Vto-1.0V •Lowgateleakage:750fAtypical@20V •LowCISS:3pFtypical •Highradiationtolerance •RoHS,REACH,CMRcompliant •Customtestandbinningoptionsavailable •SMTandbarediepackageoptions •E	InterFET InterFET Corporation	InterFET
IFN201A	文件：599.94 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelJFET Features •InterFETN106AGeometry •TightlyscreenedIFN201A:VGS(OFF):-0.5Vto-1.0V •Lowgateleakage:750fAtypical@20V •LowCISS:3pFtypical •Highradiationtolerance •RoHS,REACH,CMRcompliant •Customtestandbinningoptionsavailable •SMTandbarediepackageoptions •E	InterFET InterFET Corporation	InterFET

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多HO-P-201C供应商更新时间2025-5-20 16:00:00

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