HN4B01JE中文资料Transistor for low frequency small-signal amplification 2 in 1数据手册Toshiba规格书
HN4B01JE规格书详情
描述 Description
Feature：High current
Application Scope：General-purpose
Polarity：PNP + NPN
Internal Connection：Common emitter
RoHS Compatible Product(s) (#)：Available
Assembly bases：日本
特性 Features
Collector Current (Q1) IC 0.15 A
Collector Current (Q2) IC -0.15 A
Collector-emitter voltage (Q1) VCEO 50 V
Collector-emitter voltage (Q2) VCEO -50 V
技术参数
- 制造商编号
：HN4B01JE
- 生产厂家
：Toshiba
- Polarity
：PNP + NPN
- Internal Connection
：Common emitter
- VCEO(Max)(V)
：50
- IC(Max)(A)
：0.15
- hFE(Min)
：120
- hFE(Max)
：400
- VCE(sat)(Max)(V)
：0.25
- VCEO (Q2)(Max)(V)
：-50
- IC (Q2)(Max)(A)
：-0.15
- hFE (Q2)(Min)
：120
- hFE (Q2)(Max)
：400
- VCE(sat) (Q2)(Max)(V)
：-0.3
- Number of pins
：5
- Surface mount package
：Y
- Package name
：SOT-553 (ESV)
- Width×Length×Height(mm)
：1.6 x 1.6 x 0.55
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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