HN3C10F分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
HN3C10F |
| 参数属性 | HN3C10F 封装/外壳为6-TSSOP，SC-88，SOT-363；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6 |
| 功能描述 | NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (VHF~UHF BAND LOW NOISE AMPLIFIER APPLICATIONS) |
| 封装外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 文件大小 |
90.93 Kbytes |
| 页面数量 |
1 页 |
| 生产厂商 | Toshiba Semiconductor |
| 企业简称 |
TOSHIBA【东芝】 |
| 中文名称 | 株式会社东芝官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-24 22:59:00 |
| 人工找货 | HN3C10F价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号：
HN3C10FUTE85LF
- 制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
2 NPN（双）
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
7GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.1dB @ 1GHz
- 增益：
11.5dB
- 功率 - 最大值：
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 20mA，10V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
80mA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
- 供应商器件封装：
US6
- 描述：
RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
4167 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
TOSHIBA |
24+ |
SOT363 |
80000 |
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询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
25+ |
SOT-363 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
SOT-363SO |
23+ |
NA |
15659 |
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TOSHIBA |
23+ |
SOT-163 |
45844 |
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询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
1942+ |
SOT-363 |
9852 |
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询价 | ||
TOSHIBA |
24+ |
SC70-6 |
3000 |
全新原装现货 优势库存 |
询价 | ||
原装TOSHIBA |
19+ |
SOT-363 |
20000 |
询价 | |||
TOS |
24+ |
SOT163 |
3200 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
询价 | ||
TOSHIBA |
24+/25+ |
27000 |
原装正品现货库存价优 |
询价 |
