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HN3C10F 分立半导体产品晶体管 - 双极(BJT)- 射频 TOSHIBA/东芝
- 详细信息
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产品参考属性
- 类型
描述
- 产品编号:
HN3C10FUTE85LF
- 制造商:
Toshiba Semiconductor and Storage
- 类别:
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
2 NPN(双)
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
12V
- 频率 - 跃迁:
7GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
1.1dB @ 1GHz
- 增益:
11.5dB
- 功率 - 最大值:
200mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
80 @ 20mA,10V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
80mA
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商器件封装:
US6
- 描述:
RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6
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