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HN3C10F 分立半导体产品晶体管 - 双极(BJT)- 射频 TOSHIBA/东芝
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产品参考属性
- 类型描述 
- 产品编号:HN3C10FUTE85LF 
- 制造商:Toshiba Semiconductor and Storage 
- 类别:
- 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 
- 晶体管类型:2 NPN(双) 
- 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 
- 频率 - 跃迁:7GHz 
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):1.1dB @ 1GHz 
- 增益:11.5dB 
- 功率 - 最大值:200mW 
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):80 @ 20mA,10V 
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80mA 
- 安装类型:表面贴装型 
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 
- 供应商器件封装:US6 
- 描述:RF TRANS 2 NPN 12V 7GHZ US6 
供应商
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