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HN29V1G91T-30	文件：1.58744 Mbytes Page：92 Pages	128M X 8-bit AG-AND Flash Memory Description The HN29V1G91 series achieves a write speed of 10 Mbytes/sec, which is 5 times faster than Renesass previous multi level cell Flash memory, using 0.13µm process technology and AG-AND (Assist Gate-AND) type Flash memory cell using multi level cell technology provides both the most cost 文件：1.58744 Mbytes 页数：92 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多HN29V1G91T-30供应商更新时间2025-11-22 16:00:00