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MTD20N03HDL	文件：101.21 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDPAKPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTD20N03HDLG	文件：101.21 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelDPAKPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTD20N03HDLT	文件：101.35 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET20Amps,30Volts,LogicLevel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTD20N03HL	文件：1.01542 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTD20N03	文件：447.31 Kbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelMOSFET Features •Ultra−LowRDS(on),SingleBase,AdvancedTechnology •SPICEParametersAvailable •DiodeisCharacterizedforuseinBridgeCircuits •IDSSandV(on)SpecifiedatElevatedTemperatures •HighAvalancheEnergySpecified TypicalApplications •PowerSupplies •InductiveLoads •	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
NTD20N03G	文件：1.01617 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTD20N03HL	文件：1.01525 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RFD20N03	文件：76.53 Kbytes Page：8 Pages	20A,30V,0.025Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheRFD20N03andRFD20N03SMN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.ThisprocesswhichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplications	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFD20N03SM	文件：1.01573 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RFD20N03SM	文件：76.53 Kbytes Page：8 Pages	20A,30V,0.025Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheRFD20N03andRFD20N03SMN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.ThisprocesswhichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplications	Intersil Intersil Corporation	Intersil

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