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HN1B04FU-Y	文件：304.52 Kbytes Page：6 Pages	AudioFrequencyGeneralPurposeAmplifierApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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详细参数

型号：
HN1B04FU-GR(L,F,T)
功能描述：
两极晶体管 - BJT VCEO 50V IC 150mA HFE 120 - 400 150mA
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	HN1B04FU-GR(L,F,T)	Toshiba	2022+	原厂原包装	8600	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
深圳市亚泰盈科电子有限公司	HN1B04FU-GR(L,F,T)	TOSHIBA	2025+	SC88	12420		询价
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深圳市安富世纪电子有限公司	HN1B04FU-GR(R,F,T)	TOSHIBA	23+	SOT-363	7000	专注配单,只做原装进口现货	询价
深圳市博中泰实业有限公司	HN1B04FU-GR(R,F,T)	TOSHIBA/东芝	24+	SOT-363	60000		询价
深圳市鼎欣微电子有限公司	HN1B04FU-GR(R,F,T)	TOSHIBA/东芝	24+	SOT-363	20000	只做正品原装现货	询价

更多HN1B04FU-GR(L,F,T)供应商更新时间2025-7-3 15:01:00

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