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HN1A02F数据手册Toshiba中文资料规格书

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厂商型号

HN1A02F

功能描述

Transistor for low frequency small-signal amplification 2 in 1

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

数据手册

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更新时间

2025-8-8 8:36:00

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HN1A02F规格书详情

描述 Description

Feature:High current
Polarity:PNP + PNP
Internal Connection:Independent
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本

特性 Features

Collector Current (Q1) IC -0.8 A
Collector Current (Q2) IC -0.8 A
Collector-emitter voltage (Q1) VCEO -15 V
Collector-emitter voltage (Q2) VCEO -15 V

技术参数

  • 制造商编号

    :HN1A02F

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • Polarity

    :PNP + PNP

  • Internal Connection

    :Independent

  • VCEO(Max)(V)

    :-15

  • IC(Max)(A)

    :-0.8

  • hFE(Min)

    :120

  • hFE(Max)

    :400

  • VCE(sat)(Max)(V)

    :-0.2

  • fT(Typ.)(MHz)

    :120

  • VCEO (Q2)(Max)(V)

    :-15

  • IC (Q2)(Max)(A)

    :-0.8

  • hFE (Q2)(Min)

    :120

  • hFE (Q2)(Max)

    :400

  • VCE(sat) (Q2)(Max)(V)

    :-0.2

  • fT (Q2)(Typ.)(MHz)

    :120

  • Comments

    :Rank is specified by hFE range.

  • Number of pins

    :6

  • Surface mount package

    :Y

  • Package name

    :SOT-26 (SM6)

  • Width×Length×Height(mm)

    :2.9 x 2.8 x 1.1

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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