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HMS4N10MR数据手册HmpowerSemi中文资料规格书

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厂商型号

HMS4N10MR

功能描述

低压SGT MOS

制造商

HmpowerSemi Hongmei Power Semiconductor Co., Ltd

中文名称

虹美功率 深圳市虹美功率半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :HMS4N10MR

  • 生产厂家

    :HmpowerSemi

  • 封装(Package)

    :SOT23-3L

  • 沟道(Polarity)

    :N沟道

  • VDS(Max)BVDSS(V)

    :100.00V

  • ID(Max)ID(A)

    :4.00A

  • IDM

    :12.00A

  • VTH(Typ)

    :1.20V

  • VGS

    :20.00V

  • RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)

    :95.00mΩ

  • RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)

    :115.00mΩ

  • RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)

    :0.00mΩ

  • 直接替代型号(compatible)

    :Si2328/AO3442/IRLML0100/ME2328

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