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HMS11N65Q中文资料高压超结MOS数据手册HmpowerSemi规格书

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厂商型号

HMS11N65Q

功能描述

高压超结MOS

制造商

HmpowerSemi Hongmei Power Semiconductor Co., Ltd

中文名称

虹美功率 深圳市虹美功率半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 23:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :HMS11N65Q

  • 生产厂家

    :HmpowerSemi

  • 封装(Package)

    :DFN5X6-8L

  • 沟道(Polarity)

    :N沟道/带ESD

  • VDS(Max)BVDSS(V)

    :650.00V

  • ID(Max)ID(A)

    :11.00A

  • IDM

    :33.00A

  • VTH(Typ)

    :3.00V

  • VGS

    :30.00V

  • RDS(ON)@-10VTyp(mΩ)

    :300.00mΩ

  • RDS(ON)@-4.5VTyp(mΩ)

    :0.00mΩ

  • RDS(ON)@-2.5VTyp(mΩ)

    :0.00mΩ

  • 直接替代型号(compatible)

    :IPP65R380/IPA65R380/多层外延工艺,抗冲击性强

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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