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HMC995LP5GE中文资料GaAs pHEMT MMIC 3 WATT POWER AMPLIFIER SMT WITH POWER DETECTOR, 12 - 16 GHz数据手册ADI规格书

厂商型号 |
HMC995LP5GE |
参数属性 | HMC995LP5GE 封装/外壳为24-VQFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC RF AMP GP 12GHZ-16GHZ 24QFN |
功能描述 | GaAs pHEMT MMIC 3 WATT POWER AMPLIFIER SMT WITH POWER DETECTOR, 12 - 16 GHz |
封装外壳 | 24-VQFN 裸露焊盘 |
制造商 | ADI Analog Devices |
中文名称 | 亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-1 11:02:00 |
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HMC995LP5GE规格书详情
简介
HMC995LP5GE属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由制造生产的HMC995LP5GE射频放大器在射频应用中,射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于,它们通常适用于更高的频率,更倾向于提供不可调节的固定增益,并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。
技术参数
更多- 产品编号:
HMC995LP5GE
- 制造商:
Analog Devices Inc.
- 类别:
RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 频率:
12GHz ~ 16GHz
- P1dB:
34.5dBm
- 增益:
27dB
- 射频类型:
通用
- 电压 - 供电:
5V ~ 7V
- 电流 - 供电:
1.2A
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
24-VQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:
24-QFN(5x5)
- 描述:
IC RF AMP GP 12GHZ-16GHZ 24QFN
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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