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HMC995LP5GERF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料

HMC995LP5GE
厂商型号

HMC995LP5GE

参数属性

HMC995LP5GE 封装/外壳为24-VQFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC RF AMP GP 12GHZ-16GHZ 24QFN

功能描述

GaAs pHEMT MMIC 3 WATT POWER AMPLIFIER SMT

封装外壳

24-VQFN 裸露焊盘

文件大小

955.25 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Hittite Microwave Corporation
企业简称

HITTITE

中文名称

Hittite Microwave Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-1 18:01:00

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产品属性

  • 产品编号:

    HMC995LP5GE

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 频率:

    12GHz ~ 16GHz

  • P1dB:

    34.5dBm

  • 增益:

    27dB

  • 射频类型:

    通用

  • 电压 - 供电:

    5V ~ 7V

  • 电流 - 供电:

    1.2A

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    24-VQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    24-QFN(5x5)

  • 描述:

    IC RF AMP GP 12GHZ-16GHZ 24QFN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ADI(亚德诺)
23+
NA
20094
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询价
Analog Devices, Inc.
2024
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24-Lead QFN (4mm x 4mm w/ EP)
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HITTITE
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2022+
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