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HMC965LP5E中文资料GaAs pHEMT MMIC 2 WATT POWER AMPLIFIER SMT WITH POWER DETECTOR, 12.5 - 15.5 GHz数据手册ADI规格书
| 厂商型号 |
HMC965LP5E |
| 参数属性 | HMC965LP5E 封装/外壳为32-VFQFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器；产品描述：IC AMP GP 12.5GHZ-15.5GHZ 32QFN |
| 功能描述 | GaAs pHEMT MMIC 2 WATT POWER AMPLIFIER SMT WITH POWER DETECTOR, 12.5 - 15.5 GHz |
| 封装外壳 | 32-VFQFN 裸露焊盘 |
| 制造商 | ADI Analog Devices |
| 中文名称 | 亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-30 22:59:00 |
| 人工找货 | HMC965LP5E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HMC965LP5E规格书详情
简介
HMC965LP5E属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由制造生产的HMC965LP5E射频放大器在射频应用中，射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于，它们通常适用于更高的频率，更倾向于提供不可调节的固定增益，并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。
技术参数
更多- 产品编号：
HMC965LP5E
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 频率：
12.5GHz ~ 15.5GHz
- P1dB：
32dBm
- 增益：
27dB
- 射频类型：
通用
- 电压 - 供电：
5V ~ 6V
- 电流 - 供电：
1.2A
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
32-VFQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
32-QFN（5x5）
- 描述：
IC AMP GP 12.5GHZ-15.5GHZ 32QFN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI(亚德诺) |
24+ |
QFN24EP(4x4) |
7350 |
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询价 | ||
ADI |
20+ |
24-VFQFN |
1128 |
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询价 | ||
HITTITE |
14+ |
QFN |
18 |
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询价 | ||
HITTITE |
2406+ |
QFN |
1850 |
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询价 | ||
Analog Devices Inc. |
25+ |
32-VFQFN 裸露焊盘 |
9350 |
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询价 | ||
HITTITE |
NA |
5500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 | |||
ADI/亚德诺 |
25+ |
QFN-24 |
860000 |
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询价 | ||
HITTITE |
24+ |
QFN |
9600 |
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询价 | ||
ADI/亚德诺 |
23+ |
QFN-24 |
5000 |
ADI原厂原装全系列订货假一赔十 |
询价 | ||
HITTITE |
23+ |
9920 |
原装正品，支持实单 |
询价 |
