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SIS903DN	文件：249.57 Kbytes Page：9 Pages	DualP-Channel20V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SP903	文件：30.99 Kbytes Page：1 Pages	DECTRFFilters	SIPATSIPAT Co,Ltd 胜普电子重庆胜普电子有限公司	SIPAT
SP903	文件：32.02 Kbytes Page：1 Pages	DECTRFFilters	SIPATSIPAT Co,Ltd 胜普电子重庆胜普电子有限公司	SIPAT
SSC-SWTS903	文件：667.99 Kbytes Page：13 Pages	CHIPLEDDEVICE	SEOULSeoul Semiconductor Co., Ltd. 首尔半导体首尔半导体有限公司	SEOUL
T-903	文件：27.53 Kbytes Page：1 Pages	FlybackTransformer	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
TCKE903NA	文件：3.02126 Mbytes Page：30 Pages	TOSHIBACMOSLinearIntegratedCircuitSiliconMonolithic Features Informationinthisdatasheetispreliminaryandshould Highinputvoltage:VIN=25.0V(Max) LowONresistanceRON:34mΩ(Typ.) Adjustableovercurrentlimit:0.5Ato4.0A Fixedovervoltageclamp TCKE903:VOVC=3.87V(Typ.) TCKE905:VOVC=5.7V(Typ.) TCKE912:VOVC=13.7	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TCKE903NL	文件：3.02126 Mbytes Page：30 Pages	TOSHIBACMOSLinearIntegratedCircuitSiliconMonolithic Features Informationinthisdatasheetispreliminaryandshould Highinputvoltage:VIN=25.0V(Max) LowONresistanceRON:34mΩ(Typ.) Adjustableovercurrentlimit:0.5Ato4.0A Fixedovervoltageclamp TCKE903:VOVC=3.87V(Typ.) TCKE905:VOVC=5.7V(Typ.) TCKE912:VOVC=13.7	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TCKE903QNA	文件：3.02126 Mbytes Page：30 Pages	TOSHIBACMOSLinearIntegratedCircuitSiliconMonolithic Features Informationinthisdatasheetispreliminaryandshould Highinputvoltage:VIN=25.0V(Max) LowONresistanceRON:34mΩ(Typ.) Adjustableovercurrentlimit:0.5Ato4.0A Fixedovervoltageclamp TCKE903:VOVC=3.87V(Typ.) TCKE905:VOVC=5.7V(Typ.) TCKE912:VOVC=13.7	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
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TGE903	文件：11.89425 Mbytes Page：114 Pages	IECContactorSpecifications	ALLEN-BRADLEY Allen-Bradley	ALLEN-BRADLEY

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产品属性

产品编号：
HMC903-SX
制造商：
Analog Devices Inc.
类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
包装：
托盘
频率：
6GHz ~ 18GHz
P1dB：
16dBm
增益：
19dB
噪声系数：
1.6dB
射频类型：
通用
电压 - 供电：
3.5V
电流 - 供电：
90mA
测试频率：
6GHz ~ 18GHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
模具
供应商器件封装：
模具
描述：
IC RF AMP GP 6GHZ-18GHZ DIE

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