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HMC8038

高隔离度、硅SPDT、非反射开关,0.1 GHz至6.0 GHz; • 非反射式50 Ω设计 \n\n• 高隔离度: 60 dB(典型值) \n\n• 低插入损耗: 0.8 dB(典型值) \n\n• 高功率处理\n34 dBm(通过路径)\n29 dBm(端接路径) \n\n• 高线性度\n0.1 dB压缩(P0.1dB): 35 dBm(典型值)\n输入三阶交调截点(IP3): 60 dBm(典型值);

HMC8038是一款高隔离度、非反射式、0.1 GHz至6.0 GH、单刀双掷(SPDT)开关芯片,采用无引脚、表贴封装。 该开关非常适合蜂窝基础设施应用,可实现高达4.0 GHz的62 dB隔离、高达4.0 GHz的0.8 dB低插入损耗和60 dBm输入三阶交调截点。 拥有高达6.0 GHz的出色功率处理能力,并提供针对35 dBm的0.1 dB压缩点(P0.1dB)的输入功率(VDD = 5 V)。 片内电路在极低直流下采用3.3 V至5 V的单正电源电压,以及0 V至1.8 V/3.3 V/5.0 V的单正电压控制。 使能输入(EN)设为逻辑高电平将该开关置于全部关断状态,其中RFC为反射式。 \n\n \n\n HMC8038的所有器件引脚均提供ESD保护,包括RF接口,并可承受4 kV HMB和1.25 kV CDM。 HMC8038分别提供150 ns和170 ns的快速开关和RF建立时间性能。 该器件采用符合RoHS标准的紧凑型4 mm × 4 mm LFCSP封装。 \n\n \n\n

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亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

HMC8038

High Isolation, Silicon SPDT, Nonreflective Switch, 0.1 GHz to 6.0 GHz

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HMC8038LP4CE

High Isolation, Silicon SPDT, Nonreflective Switch, 0.1 GHz to 6.0 GHz

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HMC8038LP4CETR

High Isolation, Silicon SPDT, Nonreflective Switch, 0.1 GHz to 6.0 GHz

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亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

HMC8038LP4CE

Package:16-VQFN 裸露焊盘,CSP;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频开关 描述:IC RF SWITCH SPDT 6GHZ 16LFCSP

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HMC8038LP4CETR

Package:16-VQFN 裸露焊盘,CSP;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频开关 描述:IC RF SWITCH SPDT 6GHZ 16LFCSP

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