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HMC797LP5E中文资料PDF规格书

HMC797LP5E
厂商型号

HMC797LP5E

参数属性

HMC797LP5E 封装/外壳为32-VFQFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器;产品描述:IC RF AMP GP 0HZ-22GHZ 32QFN

功能描述

GaAs pHEMT MMIC 1 WATT POWER AMPLIFIER, DC - 22 GHz

文件大小

570.89 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 HITTITE
企业简称

Hittite

中文名称

HITTITE官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-26 20:00:00

HMC797LP5E规格书详情

General Description

The HmC797lp5e is a GaAs mmiC pHemT Distributed power Amplifier which operates between DC and 22 GHz. The amplifier provides 13.5 dB of gain, 39 dBm output ip3 and +28 dBm of output power at 1 dB gain compression while requiring 400 mA from a +10 V supply.

Features

High p1dB output power: 28 dBm

High psat output power: 29.5 dBm

High Gain: 13.5 dB

High output ip3: 39 dBm

supply Voltage: +10 V @ 400 mA

50 ohm matched input/output

32 lead 5x5 mm smT package: 25 mm²

Typical Applications

The HmC797lp5e is ideal for:

• Test Instrumentation

• Microwave Radio & VSAT

• Military & Space

• Telecom Infrastructure

• Fiber Optics

产品属性

  • 产品编号:

    HMC797LP5E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 频率:

    0Hz ~ 22GHz

  • P1dB:

    27dBm

  • 增益:

    13.5dB

  • 噪声系数:

    6dB

  • 射频类型:

    通用

  • 电压 - 供电:

    10V

  • 电流 - 供电:

    400mA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    32-VFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    32-QFN(5x5)

  • 描述:

    IC RF AMP GP 0HZ-22GHZ 32QFN

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