HMC7912

GaAs MMIC I/Q上变频器21 GHz至24 GHz; • 转换增益：15 dB（典型值）\n\n• 边带抑制：22 dBc（典型值）\n\n• 针对1 dB压缩(P1dB)的输入功率：4 dBm（典型值）\n\n• 输出三阶交调截点(OIP3)：33 dBm（典型值）\n\n• RFOUT上2倍本振(LO)泄漏：5 dBm（典型值）\n\n• 中频(IF)输入端2倍LO泄漏：-35 dBm（典型值）\n\n• RF回波损耗：15 dB（典型值）\n\n• LO回波损耗：15 dB（典型值）\n\n• 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装;

HMC7912LP5E是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器，采用符合RoHS标准的低应力注射成型塑料SMT封装。 该器件提供14 dB的小信号转换增益和18 dBc的边带抑制性能。 HMC7912LP5E采用RF放大器工作，前接由驱动放大器驱动LO的I/Q混频器。 还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。 I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。 HMC7912LP5E为混合型单边带上变频器的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。 \n\n应用\n\n 点对点和点对多点无线电 军用雷达、EW和ELINT 卫星通信 传感器

HMC7912

21 GHz to 24 GHz, GaAs, MMIC, I/Q Upconverter

HMC7912LP5E

21 GHz to 24 GHz, GaAs, MMIC, I/Q Upconverter

HMC7912LP5ETR

21 GHz to 24 GHz, GaAs, MMIC, I/Q Upconverter

HMC7912LP5E

Package：32-VFQFN 裸露焊盘，CSP；包装：卷带（TR） 功能：发射器 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID RF 其它 IC 和模块 描述：IC MMIC 21.2-23.6GHZ VGA

HMC7912LP5ETR

Package：32-VFQFN 裸露焊盘，CSP；包装：卷带（TR） 功能：发射器 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID RF 其它 IC 和模块 描述：IC MMIC 21.2-23.6GHZ VGA