0.25dB LSB 7位数字衰减器，采用SMT封装，10 - 300 MHz

HMC759LP3E是一款7位BiCMOS数字衰减器，采用低成本无引脚SMT封装。 这款多功能数字衰减器采用针对接近直流操作的片外交流接地电容，适合各种RF和IF应用。 控制接口兼容CMOS/TTL，可接受三线式串行输入。 HMC759LP3E具有用户可选上电状态和串行输出端口，可级联其他Hittite串行控制组件。 HMC759LP3E采用符合RoHS标准的3x3 mm QFN无引脚封装，占用面积仅为9 mm²。 \n\n 应用 \n\n 蜂窝/3G基础设施 WiBro / WiMAX / 4G 微波无线电和VSAT 测试设备和传感器 IF和RF应 • 0.25 dB LSB步进至31.75 dB \n\n• 上电状态选择\n\n• 高输入IP3： +40 dBm \n\n• TTL/CMOS兼容、串行控制;

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0.25 dB LSB BiCMOS MMIC 7-BIT DIGITAL ATTENUATOR, 10 - 300 MHz

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0.25 dB LSB BiCMOS MMIC 7-BIT DIGITAL ATTENUATOR, 10 - 300 MHz

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0.25 dB LSB BiCMOS MMIC 7-BIT DIGITAL ATTENUATOR, 10 - 300 MHz

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43 Gbps跨导放大器

HMC7590是一款用于光接收器的高速、高增益、低功耗限幅跨导放大器(TIA)，数据速率高达43 Gbps。 它具有低输入端折合噪声、36 GHz带宽、4 kΩ差分小信号跨导和输出交叉点调整特性。 HMC7590具有-10 dBm至+5 dBm的光输入动态范围，同时在43 Gbps数据速率下保持10e-12 BER。 \nHMC7590提供裸片形式，片内集成VCC旁路电容。 外部元器件仅需使用电源去耦电容。 \nHMC7590采用3.3V ±5 %单电源，典型功耗小于300 mW。 该器件的工作温度范围为–5 °C至+85 °C（IC背面）。 \n应用 支持数据速率高达43 Gbps \n内部DCA反馈具有外部调整选项 \n4 KΩ差分跨导增益 \n低功耗：< 300 mW \n光输入灵敏度：-10.5 dBm \n光过载：+5 dBm \n小尺寸裸片： 1.25 mm x 1.15 mm x 0.15 mm ;

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Package：模具；包装：卷带（TR） 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF AMP GP DIE

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Package：16-VFQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR） 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 衰减器 描述：RF ATT 0.25-31.75DB 50OHM 16QFN

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Package：16-VFQFN 裸露焊盘；包装：带 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 衰减器 描述：RF ATT 0.25-31.75DB 50OHM 16QFN

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