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HMC665数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频混频器规格书PDF

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厂商型号

HMC665

参数属性

HMC665 封装/外壳为24-VFQFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR);类别为RF/IF射频/中频RFID的射频混频器;产品描述:IC MMIC MIXER LO/IF AMP 24-QFN

功能描述

集成IF和LO放大器的SMT混频器,0.7 - 1.2 GHz
IC MMIC MIXER LO/IF AMP 24-QFN

封装外壳

24-VFQFN 裸露焊盘

制造商

ADI Analog Devices

中文名称

亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-11 15:29:00

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HMC665规格书详情

描述 Description

HMC665LP4E是一款高度集成的转换器IC,工作频率范围为0.7至1.2 GHz,可用于上变频和下变频应用。 HMC665LP4E集成高动态范围、无源双平衡混频器内核,内置LO和IF放大器,是GSM、WCDMA、TD-SCDMA、WiBro和WiMAX等紧凑型收发机应用的理想之选。
这款多功能转换器RFIC工作时具有低至-3 dBm的低LO输入功率电平,提供高达10 dB转换增益,在下变频模式下具有+23 dBm输入IP3。 该RFIC在上变频模式下具有高达11 dB转换增益。 针对上变频器和下变频器模式提供特定的评估板。
应用

蜂窝/3G和WiMAX/LTE/4G基础设施
基站和中继器
宽带和固定无线
接入点
测试和测量设备

特性 Features

高输入IP3: +23 dBm
低输入LO驱动: -3至+6 dBm
高LO至RF隔离: 36 dB
高转换增益: 10 dB
上变频或下变频
24引脚4x4mm SMT封装: 16mm²

简介

HMC665属于RF/IF射频/中频RFID的射频混频器。由制造生产的HMC665射频混频器射频混频器又称混频器,这些器件具有三个端口,用于改变两个输入信号的频率。射频混频器是一些无源或有源器件,可用于对信号进行上下变频。特征包括射频类型、频率、混频器数、增益、噪声系数、辅助属性、电流和电压。频率范围为 0 至 90 GHz,混频器数为 1、2、3 或 4。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    HMC665LP4ETR

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频混频器

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 射频类型:

    LTE,WiMax

  • 频率:

    700MHz ~ 1.2GHz

  • 增益:

    10dB

  • 噪声系数:

    10dB

  • 辅助属性:

    升/降频器

  • 电流 - 供电:

    150mA

  • 电压 - 供电:

    5V

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    24-VFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    24-QFN(4x4)

  • 描述:

    IC MMIC MIXER LO/IF AMP 24-QFN

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