GaAs MMIC I/Q上变频器，采用SMT封装，5.5 - 8.6 GHz

HMC6505LC5是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q上变频器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该器件提供15 dB的小信号转换增益和22 dBc的边带抑制性能。 HMC6505LC5采用RF放大器工作，前接由驱动放大器驱动LO的I/Q混频器。 还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。 I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。 HMC6505LC5为混合型单边带上变频器的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。 \n应用 \n\n点对点和点对多点无线电 \n军用雷达、EW和ELINT \n卫星通信 \n传感器 高转换增益： 15 dB \n边带抑制： 22 dBc \nLO / RF抑制： 14 dBc \n高输出IP3： +35 dBm \n32引脚5x5mm SMT封装： 25mm²;

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5.5 GHz to 8.6 GHz, GaAs, MMIC, I/Q Upconverter

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丝印：H6505A；Package：LCC；5.5 GHz to 8.6 GHz, GaAs, MMIC, I/Q Upconverter

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丝印：H6505A；Package：LCC；5.5 GHz to 8.6 GHz, GaAs, MMIC, I/Q Upconverter

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GaAs MMIC I/Q UPCONVERTER 5.5 - 8.6 GHz

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5.5 GHz 到 8.6 GHz，GaAs，MMIC，I/Q 升频器

HMC6505A 是一款采用兼容 RoHS 的封装的紧凑型砷化镓 (GaAs)、赝晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、微波单片集成电路 (MMIC) 升频器，工作频率范围为 5.5 GHz 至 8.6 GHz。此器件提供 15 dB 的小信号转换增益，以及 22 dBc 的边带抑制。HMC6505A 在可变增益放大器 (VGA) 之前使用同相和正交 (I/Q) 混频器，该混频器由主动本地振荡器 (LO) 驱动。提供 IF1 和 IF2 混频器输入，并需要采用外部 90° 混合模式选择所需的边带。I/Q 混频器拓扑结构减少了对不必要的边带进行过滤的需要。HMC6505A 是混合式单边带 (SS • 转换增益：15 dB（典型值）\n\n• 边带抑制：22 dBc（典型值）\n\n• 增益最大时的输出 P1dB 压缩：22 dBm（典型值）\n\n• 增益最大时的输出 IP3：35 dBm（典型值）\n\n• LO 到 RF 隔离：4 dB（典型值）\n\n• LO 到 IF 隔离：9 dB（典型值）\n\n• RF 回波损耗：20 dB（典型值）\n\n• LO 回波损耗：10 dB（典型值）\n\n• IF 回波损耗：20 dB（典型值）\n\n• 裸焊盘，5 mm × 5 mm，32 端子，无引线芯片载体封装;

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Package：32-TFCQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR） 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID RF 其它 IC 和模块 描述：IC MMIC I/Q UPCONVERTER 32LFCSP

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Package：32-TFCQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR） 功能：升频器 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID RF 其它 IC 和模块 描述：IC MMIC I/Q UPCONVERTER 5.5-8.6G

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Package：32-TFCQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR） 功能：升频器 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID RF 其它 IC 和模块 描述：IC MMIC I/Q UPCONVERTER 32SMD

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