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AD648B	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD648BH	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD648BQ	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD648C	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD648CQ	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD648J	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD648JCHIPS	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD648JN	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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AD648JR-REEL	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD648K	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
AD648KN	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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AD648S	文件：335.54 Kbytes Page：12 Pages	DualPrecision,LowPowerBiFETOpAmp PRODUCTDESCRIPTION TheAD648isamatchedpairoflowpower,precisionmonolithicoperationalamplifiers.Itoffersbothlowbiascurrent(10pAmax,warmedup)andlowquiescentcurrent(400µAmax)andisfabricatedwithion-implantedFETandlaserwafertrimmingtechnologies.Inputbiascur	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
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ARF648	文件：80.72 Kbytes Page：4 Pages	FASTRECOVERYDIODE FASTRECOVERYDIODE Repetitivevoltageupto2500V Meanforwardcurrent2510A Surgecurrent30kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
BD648	文件：452.78 Kbytes Page：5 Pages	PNPSILICONPOWERDARLINGTONS PNPSILICONPOWERDARLINGTONS •DesignedforComplementaryUsewithBD645,BD647,BD649ANDBD651 •62.5Wat25°CCaseTemperture •8AContinuousCollectorCurrent •MinimumhFEof750at3V,3A	TRSYS Transys Electronics	TRSYS

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详细参数

型号：
HMC648
制造商：
HITTITE
制造商全称：
Hittite Microwave Corporation
功能描述：
GaAs MMIC 6-BIT DIGITAL PHASE SHIFTER, 2.9 - 3.9 GHz

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更多HMC648供应商更新时间2024-6-3 18:07:00

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