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HMC646LP2ERF/IF射频/中频RFID的射频开关规格书PDF中文资料

HMC646LP2E
厂商型号

HMC646LP2E

参数属性

HMC646LP2E 封装/外壳为6-TDFN 裸露焊盘;包装为托盘;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频开关;产品描述:IC RF SWITCH SPDT 2.1GHZ 6DFN

功能描述

GaAs MMIC 40W FAILSAFE SWITCH, 0.1 - 2.1 GHz

封装外壳

6-TDFN 裸露焊盘

文件大小

323.85 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Hittite Microwave Corporation
企业简称

HITTITE

中文名称

Hittite Microwave Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:00:00

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产品属性

  • 产品编号:

    HMC646LP2E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频开关

  • 包装:

    托盘

  • 射频类型:

    手机,TD-SCDMA

  • 拓扑:

    反射

  • 电路:

    SPDT

  • 频率范围:

    100MHz ~ 2.1GHz

  • 隔离:

    32dB

  • 插损:

    1.3dB

  • 测试频率:

    2.025GHz

  • IIP3:

    34dBm

  • 阻抗:

    50 欧姆

  • 电压 - 供电:

    3V ~ 8V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳:

    6-TDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    6-DFN(2x2)

  • 描述:

    IC RF SWITCH SPDT 2.1GHZ 6DFN

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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