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HMC635-Die

驱动放大器芯片,18 - 40 GHz

HMC635是一款GaAs PHEMT MMIC驱动放大器裸片,工作频率范围为18至40 GHz。 该放大器提供19.5 dB的增益,+29 dBm输出IP3及+23 dBm的输出功率(1 dB增益压缩时),功耗为280 mA(+5V电源)。 HMC635非常适合作为微波无线电应用的驱动放大器,或用作工作频率范围为18至40 GHz的混频器LO放大器,可提供高达+24 dBm的饱和输出功率(15% PAE)。 隔直放大器I/O内部匹配50 Ω,非常适合集成到多芯片模块(MCM)中。 所有芯片数据均利用芯片获取,其通过两个长度为500 μm的1 mil线焊连接输入和输出RF端口。 \n\ • 增益: 19.5 dB \n• P1dB: +23 dBm\n• 输出IP3: +29 dBm \n• 饱和功率:\n• 电源电压: +5V (280 mA) \n• 50 Ω匹配输入/输出< \n• 裸片尺寸: 1.95 x 0.84 x 0.10 mm;

ADI

亚德诺

IP635N

IP44 63A Industrial Plug 6h

• Conforms to EN/IEC BS IEC 60309-2 • IP44 rated • Operating temperature: -25 °C to +40 °C.

文件:372.81 Kbytes 页数:1 Pages

EUROPA

IPS635N

IP44 Panel Mounted Sockets

• Conforms to BS IEC 60309-2 • IP44 Rated • Spring-return lid • Operating temperature: -25 °C to +40 °C.

文件:355.04 Kbytes 页数:1 Pages

EUROPA

IRF635

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:66.13 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

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更多HMC635-DIE供应商 更新时间2025-11-24 16:29:00