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HMC627ALP5ERF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
HMC627ALP5E |
| 参数属性 | HMC627ALP5E 封装/外壳为32-VFQFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）；类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器；产品描述：IC RF AMP LTE 50MHZ-1GHZ 32QFN |
| 功能描述 | 0.5 dB LSB GaAs MMIC 6-BIT DIGITAL VARIABLE GAIN AMPLIFIER |
| 封装外壳 | 32-VFQFN 裸露焊盘 |
| 文件大小 |
833.53 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | Analog Devices |
| 企业简称 |
AD【亚德诺】 |
| 中文名称 | 亚德诺半导体技术有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-4 18:35:00 |
| 人工找货 | HMC627ALP5E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HMC627ALP5E规格书详情
HMC627ALP5E属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由亚德诺半导体技术有限公司制造生产的HMC627ALP5E射频放大器在射频应用中，射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于，它们通常适用于更高的频率，更倾向于提供不可调节的固定增益，并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。
产品属性
更多- 产品编号：
HMC627ALP5E
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
- 包装：
卷带（TR）
- 频率：
50MHz ~ 1GHz
- P1dB：
20dBm
- 增益：
17.5dB
- 噪声系数：
4.3dB
- 射频类型：
LTE，WiMax
- 电压 - 供电：
5V
- 电流 - 供电：
90.5mA
- 测试频率：
350MHz ~ 1GHz
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
32-VFQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
32-QFN（5x5）
- 描述：
IC RF AMP LTE 50MHZ-1GHZ 32QFN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITTITE |
1950+ |
QFN |
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