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HMC591LP5ERF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料

HMC591LP5E
厂商型号

HMC591LP5E

参数属性

HMC591LP5E 封装/外壳为32-VFQFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC RF AMP GP 6GHZ-9.5GHZ 32QFN

功能描述

GaAs PHEMT MMIC 2 WATT POWER AMPLIFIER, 6.0 - 9.5 GHz

封装外壳

32-VFQFN 裸露焊盘

文件大小

273.01 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Hittite Microwave Corporation
企业简称

HITTITE

中文名称

Hittite Microwave Corporation官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-3 23:00:00

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产品属性

  • 产品编号:

    HMC591LP5E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 频率:

    6GHz ~ 9.5GHz

  • P1dB:

    33dBm

  • 增益:

    19dB

  • 射频类型:

    通用

  • 电压 - 供电:

    6.5V ~ 7.5V

  • 电流 - 供电:

    1.34A

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    32-VFQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    32-QFN(5x5)

  • 描述:

    IC RF AMP GP 6GHZ-9.5GHZ 32QFN

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