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HMC5805A	文件：775.48 Kbytes Page：10 Pages	High P1dB Output Power: 24.5 dBm	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC5805ALS6	文件：955.29 Kbytes Page：10 Pages	GaAs pHEMT MMIC 0.25 WATT POWER AMPLIFIER DC	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC5805ALS6	文件：775.48 Kbytes Page：10 Pages	High P1dB Output Power: 24.5 dBm	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC5805ALS6TR	文件：775.48 Kbytes Page：10 Pages	High P1dB Output Power: 24.5 dBm	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC5805ALS6TR	文件：955.29 Kbytes Page：10 Pages	GaAs pHEMT MMIC 0.25 WATT POWER AMPLIFIER DC	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
IRF5805	文件：126.83 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-30V) Description TheseP-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. TheTSOP	IRF International Rectifier	IRF
IRF5805PBF	文件：204.53 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseP-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. TheTSOP	IRF International Rectifier	IRF
IRF5805TRPBF	文件：204.53 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance Description TheseP-channelMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievetheextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitprovidesthedesignerwithanextremelyefficientdeviceforuseinbatteryandloadmanagementapplications. TheTSOP	IRF International Rectifier	IRF
IRF5805TRPBF	文件：1.13915 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Available •TrenchFET®PowerMOSFET APPLICATIONS •LoadSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
KR5805S	文件：188.57 Kbytes Page：12 Pages	SingleColor?5FlushMountRoundShapeType	Stanley STANLEY ELECTRIC CO.,LTD.	Stanley

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