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HMC536MS8GERF/IF射频/中频RFID的射频开关规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
HMC536MS8GE |
| 参数属性 | HMC536MS8GE 封装/外壳为8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘；包装为托盘；类别为RF/IF射频/中频RFID的射频开关；产品描述：IC RF SWITCH SPDT 6GHZ 8MSG |
| 功能描述 | GaAs MMIC POSITIVE CONTROL T/R SWITCH, DC - 6 GHz |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SMT / 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘 |
| 文件大小 |
460.61 Kbytes |
| 页面数量 |
4 页 |
| 生产厂商 | Analog Devices |
| 企业简称 |
AD【亚德诺】 |
| 中文名称 | 亚德诺半导体技术有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-30 12:01:00 |
| 人工找货 | HMC536MS8GE价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HMC536MS8GE规格书详情
HMC536MS8GE属于RF/IF射频/中频RFID的射频开关。由亚德诺半导体技术有限公司制造生产的HMC536MS8GE射频开关射频开关产品是用于在多个可用信号路径之间路由 RF、IF 或微波信号的器件。示例应用包括多天线（分集）接收器中的天线选择、多模式系统中发射-接收路径的选择，或在发射和接收信号链之间切换天线。
产品属性
更多- 产品编号：
HMC536MS8GE
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频开关
- 包装：
托盘
- 射频类型：
通用
- 拓扑：
反射
- 电路：
SPDT
- 频率范围：
0Hz ~ 6GHz
- 隔离：
32dB
- 插损：
0.7dB
- 测试频率：
6GHz
- IIP3：
48dBm
- 阻抗：
50 欧姆
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳：
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）裸露焊盘
- 供应商器件封装：
8-MSG
- 描述：
IC RF SWITCH SPDT 6GHZ 8MSG
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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