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HMC536LP2ERF/IF射频/中频RFID的射频开关规格书PDF中文资料

HMC536LP2E
厂商型号

HMC536LP2E

参数属性

HMC536LP2E 封装/外壳为6-TDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频开关;产品描述:IC RF SWITCH SPDT 6GHZ 6DFN

功能描述

GaAs MMIC POSITIVE CONTROL T/R SWITCH, DC - 6 GHz
IC RF SWITCH SPDT 6GHZ 6DFN

丝印标识

536

封装外壳

SMT / 6-TDFN 裸露焊盘

文件大小

240.06 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Analog Devices
企业简称

AD亚德诺

中文名称

亚德诺半导体技术有限公司官网

原厂标识
AD
数据手册

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更新时间

2025-8-1 20:07:00

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HMC536LP2E规格书详情

HMC536LP2E属于RF/IF射频/中频RFID的射频开关。由亚德诺半导体技术有限公司制造生产的HMC536LP2E射频开关射频开关产品是用于在多个可用信号路径之间路由 RF、IF 或微波信号的器件。示例应用包括多天线(分集)接收器中的天线选择、多模式系统中发射-接收路径的选择,或在发射和接收信号链之间切换天线。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    HMC536LP2E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频开关

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 射频类型:

    WiMAX / WiBro

  • 拓扑:

    反射

  • 电路:

    SPDT

  • 频率范围:

    0Hz ~ 6GHz

  • 隔离:

    29dB

  • 插损:

    1dB

  • 测试频率:

    6GHz

  • IIP3:

    49dBm

  • 阻抗:

    50 欧姆

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳:

    6-TDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    6-DFN(2x2)

  • 描述:

    IC RF SWITCH SPDT 6GHZ 6DFN

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