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HMC519RF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料

HMC519
厂商型号

HMC519

参数属性

HMC519 封装/外壳为24-TFCQFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC AMP VSAT 18GHZ-31GHZ 24CSMT

功能描述

Point-to-Point Radios
IC AMP VSAT 18GHZ-31GHZ 24CSMT

封装外壳

24-TFCQFN 裸露焊盘

文件大小

356.31 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Analog Devices
企业简称

AD亚德诺

中文名称

亚德诺半导体技术有限公司官网

原厂标识
AD
数据手册

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更新时间

2025-8-2 8:10:00

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HMC519规格书详情

HMC519属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由亚德诺半导体技术有限公司制造生产的HMC519射频放大器在射频应用中,射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于,它们通常适用于更高的频率,更倾向于提供不可调节的固定增益,并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。

General Description

The HMC519 chip is a high dynamic range GaAs PHEMT MMIC Low Noise Amplifi er (LNA) which covers the 18 to 32 GHz frequency range. The HMC519 provides 15 dB of small signal gain, 2.8 dB of noise fi gure and has an output IP3 greater than 23 dBm. The chip can easily be integrated into hybrid or MCM assemblies due to its small size. All data is tested with the chip in a 50 Ohm test fi xture connected via 0.075 mm (3 mil) ribbon bonds of minimal length 0.31 mm (12 mil). Two 0.025 mm (1 mil) diameter bondwires may also be used to make the RFIN and RFOUT connections.

特性 Features

Noise Figure: 2.8 dB

Gain: 15 dB

OIP3: 23 dBm

Single Supply: +3V @ 65 mA

50 Ohm Matched Input/Output

Die Size: 2.27 x 1.32 x 0.1 mm

Typical Applications

The HMC519 is ideal for use as either a LNA or driver

amplifier for:

• Point-to-Point Radios

• Point-to-Multi-Point Radios & VSAT

• Test Equipment & Sensors

• Military & Space

产品属性

更多
  • 产品编号:

    HMC519LC4TR

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 频率:

    18GHz ~ 31GHz

  • P1dB:

    12.2dBm

  • 增益:

    14.4dB

  • 噪声系数:

    3.5dB

  • 射频类型:

    VSAT

  • 电压 - 供电:

    3V

  • 电流 - 供电:

    75mA

  • 测试频率:

    18GHz ~ 28GHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    24-TFCQFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    24-CQFN(4x4)

  • 描述:

    IC AMP VSAT 18GHZ-31GHZ 24CSMT

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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