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HMC452QS16G

InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER

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亚德诺

HMC452QS16G

InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 0.45 - 2.2 GHz

文件:372.6 Kbytes 页数:12 Pages

Hittite

HMC452QS16G

InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 0.4 - 2.2 GHz

文件:1.044339 Mbytes 页数:22 Pages

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HMC452QS16G

InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 0.4 - 2.2 GHz

文件:742.81 Kbytes 页数:22 Pages

Hittite

HMC452QS16G_06

InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 0.4 - 2.2 GHz

文件:1.044339 Mbytes 页数:22 Pages

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HMC452QS16G_09

InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 0.4 - 2.2 GHz

文件:742.81 Kbytes 页数:22 Pages

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HMC452QS16GE

InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 0.4 - 2.2 GHz

文件:742.81 Kbytes 页数:22 Pages

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HMC452QS16G

1 W功率放大器,采用SMT封装,0.4 - 2.2 GHz

HMC452QS16G(E)是一款高动态范围GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)、1瓦特MMIC功率放大器,在0.4至2.2 GHz的频率下工作。 该放大器采用微型16引脚QSOP塑料封装,其增益在0.4 GHz时通常为22.5 dB,在2.1 GHz时通常为9 dB。 它仅使用极小数量的外部元件和单个+5V电源,其输出IP3可以优化为+43 dBm(0.4 GHz时)或+48 dBm(2.1 GHz时)。 功率控制(VPD)可用于全省电模式或RF输出功率/电流控制。 高输出IP3和PAE使得HMC452QS16G(E)成为适合蜂窝/PCS/3G、WLL、ISM和固定无线应用的理想 • 输出IP3: +48 dBm \n\n• 增益:22.5 dB (400 MHz) \n\n• 增益:9 dB (2100 MHz) \n\n• PAE为53%(Pout为+31 dBm时) \n\n• +24 dBm的CDMA2000\n通道功率(ACP为-45 dBc时) \n\n• +5V单电源 \n\n• 集成功率控制(VPD) \n\n• QSOP16G SMT封装: 29.4 mm2;

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HMC452QS16GE

Package:16-SSOP(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘;包装:托盘 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC AMP GP 400MHZ-2.2GHZ 16QSOP

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HMC452QS16GETR

Package:16-SSOP(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘;包装:卷带(TR) 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC AMP CDMA 400MHZ-2.2GHZ 16QSOP

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详细参数

  • 型号:

    HMC452QS16G

  • 制造商:

    HITTITE

  • 制造商全称:

    Hittite Microwave Corporation

  • 功能描述:

    InGaP HBT 1 WATT POWER AMPLIFIER, 0.4 - 2.2 GHz

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更多HMC452QS16G供应商 更新时间2025-9-26 16:41:00