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HMC425A	文件：1.49089 Mbytes Page：6 Pages	0.5 dB LSB GaAs MMIC 6-BIT DIGITAL POSITIVE CONTROL ATTENUATOR, 2.2 - 8.0 GHz	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC425ALP3	文件：1.55626 Mbytes Page：4 Pages	0.5 dB LSB GaAs MMIC 6-BIT DIGITAL POSITIVE CONTROL ATTENUATOR, 2.2 - 8.0 GHz	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC425ALP3E	文件：1.49089 Mbytes Page：6 Pages	Marking：H425A；Package：SMT；0.5 dB LSB GaAs MMIC 6-BIT DIGITAL POSITIVE CONTROL ATTENUATOR, 2.2 - 8.0 GHz	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC425ALP3E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-VFQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 衰减器描述：RF ATTENUATOR 31.5DB 16VFQFN	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC425ALP3ETR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-VFQFN 裸露焊盘；包装：卷带（TR）类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 衰减器描述：RF ATTENUATOR 31.5DB 16VFQFN	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HSMA-T425	文件：155.71 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountHighPerformanceAlInGaPLEDIndicators Description TheLEDmaterialusedinthesedevicesistheveryefficientabsorbingSubstratealuminumindiumgalliumphosphide(ASAlInGaP),capableofproducinghighlightoutputoverawiderangeofdrivecurrents. Features •OutstandingLEDMaterialEfficiency •ExceptionalLightOutputOve	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HSMD-T425	文件：155.71 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountHighPerformanceAlInGaPLEDIndicators Description TheLEDmaterialusedinthesedevicesistheveryefficientabsorbingSubstratealuminumindiumgalliumphosphide(ASAlInGaP),capableofproducinghighlightoutputoverawiderangeofdrivecurrents. Features •OutstandingLEDMaterialEfficiency •ExceptionalLightOutputOve	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HSMJ-T425	文件：155.71 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountHighPerformanceAlInGaPLEDIndicators Description TheLEDmaterialusedinthesedevicesistheveryefficientabsorbingSubstratealuminumindiumgalliumphosphide(ASAlInGaP),capableofproducinghighlightoutputoverawiderangeofdrivecurrents. Features •OutstandingLEDMaterialEfficiency •ExceptionalLightOutputOve	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
IFN425	文件：67.04 Kbytes Page：1 Pages	DualN-ChannelSiliconJunctionField-EffectTransistor •VeryHighImpedanceDifferentialAmplifiers •Electrometers	InterFET InterFET Corporation	InterFET
ISCN425P	文件：295.07 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION ·LowCollector-EmitterSaturationVoltage :V(BR)CEO=200V(Min) ·FastSwitchingSpeeds ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformance andreliableoperation APPLICATIONS ·Designedforhighfidelityaudioamplifierand otherlinearapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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