Stable Gain Over Temperature

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亚德诺

InGaP HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 10.0 GHz

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InGaP HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 10 GHz

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Hittite

InGaP HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 10 GHz

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Stable Gain Over Temperature

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MICROSS

InGaP HBT增益模块放大器芯片，DC - 10 GHz

HMC397芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至10 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+16 dBm的HMC混频器LO。 HMC397提供15 dB的增益，+32 dBm的输出IP3，同时仅需+5V电源提供56 mA电流。 \n\n 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度，提供出色的温度增益稳定性，只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²)，HMC397可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得，该夹具通过直径为0.025mm (1 m • 增益： 15 dB \n\n• P1dB输出功率： +15 dBm \n\n• 稳定的温度增益\n\n• 50 Ohm I/O \n\n• 小尺寸： 0.38 x 0.58 x 0.1 mm;

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Package：模具；包装：带 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器 描述：IC RF AMP VSAT 0HZ-10GHZ DIE

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InGaP HBT增益模块放大器芯片，DC - 10 GHz

HMC397芯片是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)增益模块MMIC DC至10 GHz放大器。 此款放大器可用作级联50 Ohm增益级或用于驱动输出功率高达+16 dBm的HMC混频器LO。 HMC397提供15 dB的增益，+32 dBm的输出IP3，同时仅需+5V电源提供56 mA电流。 \n\n 所用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感度，提供出色的温度增益稳定性，只需极少的外部偏置元件。 由于尺寸较小(0.22mm²)，HMC397可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得，该夹具通过直径为0.025mm (1 m • 增益： 15 dB \n• P1dB输出功率： +15 dBm \n• 稳定的温度增益\n• 50 Ohm I/O \n• 小尺寸： 0.38 x 0.58 x 0.1 mm ;

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