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HMC3587LP3BERF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料

厂商型号 |
HMC3587LP3BE |
参数属性 | HMC3587LP3BE 封装/外壳为12-VFQFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器;产品描述:IC RF AMP GP 4GHZ-10GHZ 12SMT |
功能描述 | HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER |
封装外壳 | 12-VFQFN 裸露焊盘 |
文件大小 |
336.16 Kbytes |
页面数量 |
8 页 |
生产厂商 | Analog Devices |
企业简称 |
AD【亚德诺】 |
中文名称 | 亚德诺半导体技术有限公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-3 23:22:00 |
人工找货 | HMC3587LP3BE价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
HMC3587LP3BE规格书详情
HMC3587LP3BE属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由亚德诺半导体技术有限公司制造生产的HMC3587LP3BE射频放大器在射频应用中,射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于,它们通常适用于更高的频率,更倾向于提供不可调节的固定增益,并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。
产品属性
更多- 产品编号:
HMC3587LP3BE
- 制造商:
Analog Devices Inc.
- 类别:
RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 频率:
4GHz ~ 10GHz
- P1dB:
11dBm
- 增益:
14.5dB
- 噪声系数:
4.5dB
- 射频类型:
通用
- 电压 - 供电:
5V
- 电流 - 供电:
47mA
- 测试频率:
4GHz ~ 5GHz
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
12-VFQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装:
12-SMT(3x3)
- 描述:
IC RF AMP GP 4GHZ-10GHZ 12SMT
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI/亚德诺 |
24+ |
SMT-12 |
25000 |
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询价 | ||
ADI/亚德诺 |
24+ |
SMT-12 |
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ADI/亚德诺 |
22+ |
66900 |
原封装 |
询价 | |||
ADI(亚德诺)/LINEAR(凌特) |
2024+ |
QFN-12(3x3) |
500000 |
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ADI/LINEAR |
24+ |
SMT-12(3x3) |
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询价 | ||
ADI(亚德诺) |
24+ |
SMT-12(3x3) |
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ADI/亚德诺 |
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ADI/亚德诺 |
21+ |
SMT-12 |
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ADI/亚德诺 |
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