HMC349AMS8G中文资料高隔离度、非反射、GaAs、SPDT开关，100 MHz至4 GHz数据手册ADI规格书

描述 Description

HMC349AMS8G是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)、单刀双掷(SPDT)开关，额定频率范围为100 MHz至 4 GHz。

HMC349AMS8G非常适合蜂窝基础设施应用，可实现57 dB高隔离、0.9 dB低插入损耗、52 dBm高输入IP3和34 dBm高输入P1dB。

HMC349AMS8G采用3 V至5 V单正电源供电，提供CMOS/TTL兼容控制接口。

HMC349AMS8G采用带exposed pad的8引脚超小型封装。

应用

蜂窝/4G基础设施 无线基础设施 移动无线电 测试设备

特性 Features

• 非反射式50 Ω设计

• 高隔离度：57 dB至2 GHz

• 低插入损耗：0.9 dB至2 GHz

• 高输入线性度
• 1 dB功率压缩(P1dB)：34 dBm（典型值）

• 三阶交调截点(IP3)：52 dBm（典型值）




• 高功率处理
• 33.5 dBm（通过路径）

• 26.5 dBm端接路径 单正电源：3 V至5 V




• CMOS/TTL兼容控制

• 全部关断状态控制

• 带exposed pad的8引脚超小型封装(MINI_SO_EP)

简介

HMC349AMS8G属于RF/IF射频/中频RFID的射频开关。由制造生产的HMC349AMS8G射频开关射频开关产品是用于在多个可用信号路径之间路由 RF、IF 或微波信号的器件。示例应用包括多天线（分集）接收器中的天线选择、多模式系统中发射-接收路径的选择，或在发射和接收信号链之间切换天线。