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HMC349ALP4CE中文资料高度隔离的非反射式 100 MHz 至 4 GHz GaAs SPDT 开关数据手册ADI规格书

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厂商型号

HMC349ALP4CE

参数属性

HMC349ALP4CE 封装/外壳为16-VQFN 裸露焊盘,CSP;包装为托盘;类别为RF/IF射频/中频RFID的射频开关;产品描述:IC RF SWITCH SPDT 4GHZ 16QFN

功能描述

高度隔离的非反射式 100 MHz 至 4 GHz GaAs SPDT 开关
IC RF SWITCH SPDT 4GHZ 16QFN

封装外壳

16-VQFN 裸露焊盘,CSP

制造商

ADI Analog Devices

中文名称

亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-30 22:59:00

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HMC349ALP4CE规格书详情

描述 Description

HMC349ALP4CE 是一款工作频率范围为 100 MHz 至 4 GHz 的砷化镓 (GaAs) 单刀双掷 (SPDT) 开关。

HMC349ALP4CE 具有隔离度高 (62 dB)、插入损耗低 (1.0 dB)、输入 IP3 高 (53 dBm) 和输入 P1dB 高 (34 dBm) 等特性,因此适用于无线基础设施应用。

HMC349ALP4CE 使用电压为 3 V 至 5 V 的单一正电源工作,并且提供一个与 CMOS/TTL 兼容的控制接口。

HMC349ALP4CE 采用符合 RoHS 指令的 16 引脚 4 mm × 4 mm 引线框芯片尺寸级封装 (LFCSP)。

应用

无线基础设施移动无线电测试设备

特性 Features

• 非反射 50 Ω 设计

• 高隔离:2 GHz 时为 62 dB

• 低插入损耗:2 GHz 时为 1.0 dB

• 高输入线性度
• 1 dB 功率压缩 (P1dB):34 dBm(典型值)

• 3 阶交调点 (IP3):53 dBm(典型值)




• 高功率处理能力
• 33.5 dBm 直通路径,VDD = 5 V

• 26.5 dBm 终止路径

简介

HMC349ALP4CE属于RF/IF射频/中频RFID的射频开关。由制造生产的HMC349ALP4CE射频开关射频开关产品是用于在多个可用信号路径之间路由 RF、IF 或微波信号的器件。示例应用包括多天线(分集)接收器中的天线选择、多模式系统中发射-接收路径的选择,或在发射和接收信号链之间切换天线。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    HMC349ALP4CE

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频开关

  • 包装:

    托盘

  • 射频类型:

    通用

  • 拓扑:

    吸收

  • 电路:

    SPDT

  • 频率范围:

    0Hz ~ 4GHz

  • 隔离:

    62dB

  • 插损:

    1.4dB

  • 测试频率:

    4GHz

  • P1dB:

    34dBm

  • 阻抗:

    50 欧姆

  • 电压 - 供电:

    4.5V ~ 5.5V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C

  • 封装/外壳:

    16-VQFN 裸露焊盘,CSP

  • 供应商器件封装:

    16-LFCSP(4x4)

  • 描述:

    IC RF SWITCH SPDT 4GHZ 16QFN

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