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HMC311LP3ERF/IF射频/中频RFID的射频放大器规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
HMC311LP3E |
| 参数属性 | HMC311LP3E 封装/外壳为16-VFQFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为RF/IF射频/中频RFID的射频放大器；产品描述：IC RF AMP GP 0HZ-6GHZ 16SMT |
| 功能描述 | InGaP HBT GAIN BLOCK MMIC AMPLIFIER, DC - 6 GHz |
| 封装外壳 | 16-VFQFN 裸露焊盘 |
| 文件大小 |
320.9 Kbytes |
| 页面数量 |
6 页 |
| 生产厂商 | Analog Devices |
| 企业简称 |
AD【亚德诺】 |
| 中文名称 | 亚德诺半导体技术有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 17:01:00 |
| 人工找货 | HMC311LP3E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HMC311LP3E规格书详情
HMC311LP3E属于RF/IF射频/中频RFID的射频放大器。由亚德诺半导体技术有限公司制造生产的HMC311LP3E射频放大器在射频应用中，射频放大器产品可用于信号增益和缓冲。这些产品与通用运算放大器的不同之处在于，它们通常适用于更高的频率，更倾向于提供不可调节的固定增益，并且输入或输出阻抗值符合常用传输线特性阻抗。
产品属性
更多- 产品编号：
HMC311LP3E
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频放大器
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 频率：
0Hz ~ 6GHz
- P1dB：
13dBm
- 增益：
14dB
- 噪声系数：
4.5dB
- 射频类型：
通用
- 电压 - 供电：
5V
- 电流 - 供电：
74mA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
16-VFQFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
16-QFN（3x3）
- 描述：
IC RF AMP GP 0HZ-6GHZ 16SMT
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI/亚德诺 |
22+ |
LFCSP |
30000 |
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ADI |
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ADI/亚德诺 |
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Hittite Microwave |
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HITTITE |
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QFN |
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QFN |
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HITTITE |
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HITTITE |
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HITTITE |
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