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HMC263LP4E

GaAs MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 24 - 36 GHz

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Hittite

HMC263LP4E

GaAs MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 24 - 36 GHz

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HMC263LP4E_09

GaAs MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 24 - 36 GHz

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Hittite

HMC263LP4E_10

GaAs MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 24 - 36 GHz

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Hittite

HMC263-Die

低噪声放大器芯片,24 - 36 GHz

HMC263芯片是一款GaAs MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为24至36 GHz。 由于尺寸较小(3.29 mm²),该芯片可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 该芯片采用GaAs PHEMT工艺制造而成,采用3 V (58 mA)单个偏置电源时提供22 dB增益,噪声系数为2 dB。 所有数据均通过50 Ω测试夹具中的芯片获取,通过直径为0.076 mm (3 mil)、最小长度为0.31 mm (<12 mils)的焊线连接。 HMC263可配合HMC264或HMC265混频器使用,以实现毫米波系统接收机。 \n\n 应用 \n\n 毫米波点对点无线电 • 出色的噪声系数: 2 dB \n\n• 增益: 22 dB \n\n• 单电源: +3V (58 mA) \n\n• 小尺寸: 2.48 x 1.33 x 0.1 mm;

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亚德诺

HMC263LP4E

低噪声放大器,采用SMT封装,24 - 36 GHz

HMC263LP4E是一款GaAs MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为24至36 GHz,采用无引脚SMT塑料封装。 HMC263LP4E采用GaAs pHEMT工艺制造而成,采用3 V (58 mA)单个偏置电源时提供20 dB增益,噪声系数为2.2 dB。HMC263LP4E可配合HMC264LC3B或HMC265LM3混频器使用,以实现毫米波系统接收机。 隔直RF I/O匹配至50 Ω,无需外部元件。 \n\n 应用 \n\n 毫米波点对点无线电 LMDS VSAT SATCOM • 低噪声系数: 2.2 dB \n\n• 高增益: 20 dB \n\n• 单正电源: +3V或+5V \n\n• 隔直RF I/O \n\n• 无需外部匹配 \n\n• 24引脚4x4mm QFN封装: 16mm²;

ADI

亚德诺

详细参数

  • 型号:

    HMC263

  • 制造商:

    HITTITE

  • 制造商全称:

    Hittite Microwave Corporation

  • 功能描述:

    GaAs MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 24 - 36 GHz

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更多HMC263供应商 更新时间2025-10-7 14:32:00