HMC221BERF/IF射频/中频RFID的射频开关规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
HMC221BE |
| 参数属性 | HMC221BE 封装/外壳为SOT-23-6；包装为托盘；类别为RF/IF射频/中频RFID的射频开关；产品描述：IC RF SWITCH SPDT 3GHZ SOT23-6 |
| 功能描述 | GaAs, MMIC, SPDT Switch, 10 kHz to 3 GHz |
| 封装外壳 | SOT-23-6 |
| 文件大小 |
265.46 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | Analog Devices |
| 企业简称 |
AD【亚德诺】 |
| 中文名称 | 亚德诺半导体技术有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-23 10:54:00 |
| 人工找货 | HMC221BE价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HMC221BE规格书详情
HMC221BE属于RF/IF射频/中频RFID的射频开关。由亚德诺半导体技术有限公司制造生产的HMC221BE射频开关射频开关产品是用于在多个可用信号路径之间路由 RF、IF 或微波信号的器件。示例应用包括多天线（分集）接收器中的天线选择、多模式系统中发射-接收路径的选择，或在发射和接收信号链之间切换天线。
GENERAL DESCRIPTION
The HMC221B is a single-pole, double-throw (SPDT) switch specified from 10 kHz to 3 GHz in a 6-lead SOT-23 plastic package. This switch offers a very low insertion loss of less than 0.8 dB up to 3 GHz and is well suited for receiver and filter switching applications that require low insertion loss and a small size.
The RF1 and RF2 pins are reflective shorts when in an off state, and the two control voltages (the A and B pins) require a minimal dc bias current. Note that the HMC197B exhibits a similar performance in an alternate pinout.
FEATURES
Low insertion loss: 0.4 dB typical
Input third-order intercept (IP3): 55 dBm typical
Positive control: 0 V/3 V
Ultrasmall package: SOT-23
APPLICATIONS
Industrial, scientific and medical (ISM)
PCMCIA wireless cards
Cellular applications
产品属性
更多- 产品编号：
HMC221BE
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频开关
- 包装：
托盘
- 射频类型：
通用
- 电路：
SPDT
- 频率范围：
10kHz ~ 3GHz
- 隔离：
18dB
- 插损：
0.8dB
- 测试频率：
3GHz
- P1dB：
29dBm
- IIP3：
54dBm
- 阻抗：
50 欧姆
- 电压 - 供电：
5V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C
- 封装/外壳：
SOT-23-6
- 供应商器件封装：
SOT-23-6
- 描述：
IC RF SWITCH SPDT 3GHZ SOT23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI/亚德诺 |
23+ |
SOT23-6 |
5000 |
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ADI/亚德诺 |
24+ |
SOT23-6 |
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