HMC219B数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频混频器规格书PDF

描述 Description

HMC219B是一款超小型通用双平衡混频器，采用8引脚超小型塑料表贴封装，带裸露焊盘(MINI_SO_EP)。该无源单芯片微波集成电路(MMIC)混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。该器件可用作频率范围为2.5 GHz至7.0 GHz的上变频器、下变频器、双相调制器或相位比较器。

HMC219B采用经过优化的巴伦结构，提供出色的本振(LO)至射频(RF)隔离及LO至中频(IF)隔离性能。符合RoHS标准的HMC219B无需线焊，与高容量表贴制造技术兼容。MMIC性能稳定可提高系统工作效率并确保符合HiperLAN、U-NII和ISM法规要求。

特性 Features

• 转换损耗：9 dB（典型值）

• LO至RF隔离：40 dB（典型值）

• LO至IF隔离：35 dB（典型值）

• RF至IF隔离：22 dB（典型值）

• 输入IP3：18 dBm（典型值）

• 输入P1dB：11 dBm（典型值）

• 输入IP2：55 dBm（典型值）

• 无源双平衡拓扑结构

• 8引脚、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封装

应用 Application

• 微波无线电
• 高性能无线电局域网(HiperLAN)和免执照国家信息基础设施(U-NII)
• 工业、科研和医疗(ISM)

简介

HMC219B属于RF/IF射频/中频RFID的射频混频器。由制造生产的HMC219B射频混频器射频混频器又称混频器，这些器件具有三个端口，用于改变两个输入信号的频率。射频混频器是一些无源或有源器件，可用于对信号进行上下变频。特征包括射频类型、频率、混频器数、增益、噪声系数、辅助属性、电流和电压。频率范围为 0 至 90 GHz，混频器数为 1、2、3 或 4。