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HMC219B

2.5 GHz至7.0 GHz GaAs、MMIC基波混频器; • 转换损耗:9 dB(典型值)\n\n• LO至RF隔离:40 dB(典型值)\n\n• LO至IF隔离:35 dB(典型值)\n\n• RF至IF隔离:22 dB(典型值)\n\n• 输入IP3:18 dBm(典型值)\n\n• 输入P1dB:11 dBm(典型值)\n\n• 输入IP2:55 dBm(典型值)\n\n• 无源双平衡拓扑结构\n\n• 8引脚、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封装;

HMC219B是一款超小型通用双平衡混频器,采用8引脚超小型塑料表贴封装,带裸露焊盘(MINI_SO_EP)。该无源单芯片微波集成电路(MMIC)混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造,无需外部元件或匹配电路。该器件可用作频率范围为2.5 GHz至7.0 GHz的上变频器、下变频器、双相调制器或相位比较器。\n\n HMC219B采用经过优化的巴伦结构,提供出色的本振(LO)至射频(RF)隔离及LO至中频(IF)隔离性能。符合RoHS标准的HMC219B无需线焊,与高容量表贴制造技术兼容。MMIC性能稳定可提高系统工作效率并确保符合HiperLAN、U-NII和ISM法规要求。\n\n

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亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

HMC219B

2.5 GHz to 7.0 GHz GaAs, MMIC Fundamental Mixer

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HMC219BMS8GE

2.5 GHz to 7.0 GHz GaAs, MMIC Fundamental Mixer

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HMC219BMS8GETR

2.5 GHz to 7.0 GHz GaAs, MMIC Fundamental Mixer

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HMC219BMS8GE

Package:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸露焊盘;包装:托盘 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频混频器 描述:IC MMIC MIXER 2.5-7GHZ 8MINISOEP

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亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

HMC219BMS8GETR

Package:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸露焊盘;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频混频器 描述:IC MMIC MIXER 2.5-7GHZ 8MINISOEP

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更多HMC219B供应商 更新时间2025-7-29 19:00:00