HMC128数据手册RF/IF射频/中频RFID的射频混频器规格书PDF
| 厂商型号 |
HMC128 |
| 参数属性 | HMC128 封装/外壳为模具；包装为散装；类别为RF/IF射频/中频RFID的射频混频器；产品描述：IC MMIC MIXER DBL-BAL DIE |
| 功能描述 | GaAs单芯片微波集成电路(MMIC)双平衡混频器芯片，采用密封表贴技术(SMT)，1.8 GHz至5.0 GHz |
| 封装外壳 | 模具 |
| 制造商 | ADI Analog Devices |
| 中文名称 | 亚德诺 亚德诺半导体技术有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-16 8:56:00 |
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HMC128规格书详情
描述 Description
HMC128器件为微型双平衡混频器，采用芯片(HMC128)和密封型表贴封装(HMC128G8)，两者均可用作上变频器或下变频器。 该器件为无源二极管/巴伦类混频器，具有高动态范围。 噪声系数基本等于转换损耗。 由于具有较高的三阶交调截点，相比大部分有源混频器，这款混频器可处理更大的信号电平。 MMIC部署提供出色的电路平衡性能，从而实现高LO/RF和LO/IF隔离。 HMC128可在9 dBm至15 dBm的宽LO驱动输入范围内工作。
典型应用
• HMC128微波和甚小孔径终端(VSAT)无线电测试设备军事电子战(EW)、电子对抗(ECM)、指挥、控制通信和情报(C3I)空间电信
• HMC128G8基站多通道多点分配服务(MMDS)无线局域网无线本地环路
特性 Features
• 变频损耗
HMC128: 7 dB
HMC128G8: 10 dB
• 本振(LO)至射频(RF)和中频(IF)隔离
HMC128: >36 dB
HMC128G8: >30 dB
简介
HMC128属于RF/IF射频/中频RFID的射频混频器。由制造生产的HMC128射频混频器射频混频器又称混频器，这些器件具有三个端口，用于改变两个输入信号的频率。射频混频器是一些无源或有源器件，可用于对信号进行上下变频。特征包括射频类型、频率、混频器数、增益、噪声系数、辅助属性、电流和电压。频率范围为 0 至 90 GHz，混频器数为 1、2、3 或 4。
技术参数
更多- 产品编号：
HMC128
- 制造商：
Analog Devices Inc.
- 类别：
RF/IF，射频/中频和 RFID > 射频混频器
- 包装：
散装
- 射频类型：
VSAT
- 频率：
1.8GHz ~ 5GHz
- 噪声系数：
7dB
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
模具
- 供应商器件封装：
模具
- 描述：
IC MMIC MIXER DBL-BAL DIE
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITTITE |
24+ |
SOP-8 |
9600 |
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询价 | ||
ADI |
23+ |
N/A |
7000 |
询价 | |||
美国HITTITE |
24+ |
原厂封装 |
2000 |
询价 | |||
ADI(亚德诺) |
24+ |
NA/ |
7350 |
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ADI |
21+ |
标准封装 |
500 |
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ADI |
17+ |
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ADI(亚德诺) |
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13620 |
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ADI(亚德诺) |
23+ |
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HITTITE |
24+ |
SMD |
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HITTITE |
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SMD |
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