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HMC1114PM5E

GaN Power Amplifier

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亚德诺

HMC1114PM5ETR

GaN Power Amplifier

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HMC1114PM5E

> 10 W (42 dBm), 2.7 GHz 至 3.8 GHz, GaN 功率放大器

HMC1114PM5E 是一款氮化镓 (GaN) 宽带功率放大器,可在 18 dBm 的输入功率 (PIN) 下,在 2.7 GHz 至 3.8 GHz 瞬时带宽范围上实现大于 10 W (高达 42 dBm) 的输出(典型值),功率附加效率 (PAE) 高达 55%。在小信号电平下,增益平坦度典型值小于 1 dB。\n\n HMC1114PM5E 适合脉冲波或连续波 (CW) 应用,例如无线基础设施、雷达、公共移动射频和通用放大技术。 • 高小信号增益:34.5 dB(典型值)\n\n• 高输出功率:PIN = 18 dBm 时为 42 dBm(典型值)\n\n• 高 PAE:PIN = 18 dBm 时为 55%(典型值)\n\n• 频率范围:2.7 GHz 至 3.8 GHz\n\n• 电源电压:静态电流为 150 mA 时 VDD = 28 V\n\n• 5 mm × 5 mm、 32 引脚 LFCSP_CAV 封装;

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HMC1114PM5E

Package:32-LFQFN 裸露焊盘,CSP;包装:带 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC RF POWER AMP 32LFCSP

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HMC1114PM5ETR

Package:32-LFQFN 裸露焊盘,CSP;包装:托盘 类别:RF/IF,射频/中频和 RFID 射频放大器 描述:IC RF POWER AMP 32LFCSP

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产品属性

  • 产品编号:

    HMC1114PM5E

  • 制造商:

    Analog Devices Inc.

  • 类别:

    RF/IF,射频/中频和 RFID > 射频放大器

  • 包装:

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    32-LFQFN 裸露焊盘,CSP

  • 供应商器件封装:

    32-LFCSP-CAV(5x5)

  • 描述:

    IC RF POWER AMP 32LFCSP

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更多HMC1114PM5E供应商 更新时间2025-12-15 16:12:00